PCIM EUROPE INSIGHTS - GAN / INDUSTRIE 4.0 EINE KLEINE VERÄNDERUNG REVOLUTIONIERT DIE BRANCHE - MESAGO MESSE FRANKFURT GMBH
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PCIM Europe
Insights
Ausgabe April 2019
GaN / Industrie 4.0 E-Mobility
Eine kleine Veränderung SiC revolutioniert
revolutioniert die Branche den Antriebsstrang
pcim.de 1
Inhaltsverzeichnis
Insights Ausgabe April 2019
3 Leistungshalbleiter
Aktuelle Forschungstrends
7 Optimierte Leistungselektronik
Einfluss der Kerntechnologie auf den
Netzwechselrichter
4 GaN / Industrie 4.0
Eine kleine Veränderung revolutioniert die
Branche
8 Mesago informiert
Fachforum
5 E-Mobility
SiC revolutioniert den Antriebsstrang
Impressum
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Hausser • Redaktion: Mesago Messe Frankfurt GmbH • Leser-service: Sophie Pfauter,Tel.: 0711-61946-26,
Mail: sophie.pfauter@mesago.com • Gestaltung: feedbackmedia.de • Erscheinungsweise: 2 x jährlich.
6 Thermisches Management
Neue Messtechnik für ein optimiertes
Wärmemanagement
© Copyright: Mesago Messe Frankfurt GmbH, 2019, Stuttgart.
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pcim.de 2
Insights Ausgabe April 2019
Leistungshalbleiter // Aktuelle Forschungstrends
Ein nachhaltigerer Umgang mit den begrenzt vorhande- lithische Integration macht Systeme kompakter und Auch bei den vertikalen Bauteilkonzepten gibt es viel-
nen Energieressourcen wird maßgeblich durch effizien- vermeidet hohe externe Verdrahtungsinduktivitäten versprechende Neuentwicklungen. Mit GaN lassen sich
tere leistungselektronische Systeme ermöglicht. Neue sowie Kosten im Gegensatz zu bisherigen diskreten vertikale Leistungsbauelemente entwickeln, die höhere
Entwicklungssprünge in der Leistungselektronik kön- Leistungsmodulen. Heute können schon ganze Schal- Sperrspannungen und höhere Stromdichten erzielen als
nen nur durch eine deutliche Reduktion oder Eliminie- tungsteile wie Gate-Treiber, einfache Logik, Sensoren die bereits etablierten lateralen GaN Bauelemente.
rung von parasitären Bauteileigenschaften erzielt Derzeit arbeiten weltweit Forschungsgruppen an sehr
werden. Im Vergleich zu dem heute hauptsächlich ein- » Neue Halbleitertechnologien unterschiedlichen vertikalen Bauteilkonzepten mit dem
gesetzten Silizium- Leistungshalbleiter besitzen die Ziel das volle Potential des Materials GaN auszuschöpfen.
geben den Anstoß zu neuen
Halbleiter mit höherer Bandlücke, wie GaN und SiC außer-
ordentlich gute Eigenschaften für die Entwicklung von Entwicklungssprüngen in der Das Material Diamant hat sogar noch eine deutlich Bild 1: AlScN/GaN Wafer bei der On-Wafer Charakterisierung
effizienten Leistungsbauelementen. Sowohl SiC Leistungselektronik « höhere Bandlücke als GaN und SiC. Darüber hinaus
Bauelemente als auch GaN Bauelemente haben Ihre besitzt Diamant eine hervorragende thermische Leitfähig-
Markteinführung bereits hinter sich und finden nun und ganze Leistungstopologien monolithisch integriert keit. Diese exzellenten Eigenschaften sind die Motivation
ihre Anwendungen in leistungselektronischen Systemen. werden. Damit lässt sich das gesamte System, inklusive für die laufenden Forschungsaktivitäten zur Entwicklung
Jedoch sind dies nur erste Schritte und die Forschung Regelkreis und Leistungskomponenten in der GaN- Diamant-basierter Leistungshalbleiter. Bereits heute im
an Leistungshalbleiterbauelementen geht weiter voran. Technologie realisieren [1]. Diese Entwicklung führt noch frühen Forschungsstadium demonstriert das
Neue Entwicklungen und Trends werden im Fachforum künftig zu eleganten und kostengünstigen Ein-Chip- Fraunhofer IAF die Funktion einer Diamant-Leistungsdiode
vom Fraunhofer IAF vorgestellt. Lösungen. in einem LED-Abwärtswandler [2].
Während SiC Bauelemente auf Bauteilkonzepten mit Um die Leistungsfähigkeit der GaN-Technologie weiter
Bild 2: Diamant Leistungsdioden auf monokristallinen
vertikaler Stromführung (wie Power-MOSFETs, IGBTs) zu steigern, wird momentan das neuartige Material Diamant-Substraten
basieren, sind die heute erhältlichen GaN Bauelemente AlScN (Aluminium-Scandium-Nitrid) am Fraunhofer IAF
lateral beschaffen. Bei diesen Bauelementen fließt der erforscht. Die Verbindung von AlScN/GaN erzeugt mehr
Durchlassstrom in einer AlGaN/GaN Grenzschicht nahe freie Ladungsträger in der Grenzschicht als bisherige Richard Reiner,
[1] M. Basler et al., »Ein GaN-auf-Si-Basis Logik-, Treiber- und
der Bauteiloberfläche. Durch diese laterale Bauweise AlGaN/GaN Verbindungen. Dies führt zu höheren DC-DC-Wandler-Schaltkreis mit geschlossener Spitzenstrom- Fraunhofer IAF
lassen sich mehrere Komponenten nebeneinander in regelung«, in Proc. PCIM-Europe 2019
Durchlassströmen und kleineren Durchlasswiderständen
[2] R. Reiner et al., »Diamond Schottky-Diode in a Non-Isolated
einem Chip platzieren und verdrahten. Diese mono- und damit zu effizienteren Bauelementen. Buck Converter,« in Proc. PCIM-Europe 2019
pcim.de 3Insights Ausgabe April 2019
GaN / Industrie 4.0 // Eine kleine Veränderung
revolutioniert die Branche
Bei Industrie 4.0 verschmilzt die lange Geschichte der senken oder die Produktionsleistung der Fertigungs- Anordnung der Maschinen und ihrer Energieeinspei- lose Ladetechnik, um echte Autonomie zu erreichen.
industriellen Revolution mit den ständig wachsenden linien zu steigern, und sich dabei wenig Gedanken sungen innerhalb der Industrieanlagen möglich. GaN-Leistungshalbleiter mit hoher Betriebsfrequenz
Möglichkeiten der »Informationsrevolution«. Eine flexible über eine Verbesserung der Energieeffizienz gemacht. ermöglichen mehrere Vorteile des drahtlosen Ladens:
Gestaltung intelligenter industrieller Anlagen, die zugleich Diese Zeiten sind vorbei. Das Umdenken ist dabei nicht Autonome Roboter und Robotik – Präzision, Effizienz hohe Leistungswerte (über 1 kW) in Verbindung mit
kapitalkostenbewusst und energieeffizient ausgelegt nur auf den zunehmenden Einfluss der Energiekosten und drahtloses Laden räumlicher Flexibilität (große Luftspalte); beides ist für
sind, ist der neue Standard, auf den verschiedene die Konstruktion von Ladesystemen erforderlich, die
Märkte von der Automobil- bis hin zur Konsumgüter- » Im Zeitalter von Industrie 4.0 sind Erhöhte Präzision und Leistung der Motoren, kleine keine Bedienereingriffe erforderlich machen.
industrie abzielen. Hardware-Innovationen spielen eine und effiziente Bauformen und die Integration drahtloser
Hardware-Innovationen bei der
wichtige Rolle bei der Entwicklung kleinerer und energie- Ladetechnik sind die notwendigen Parameter für Ver- GaN und Industrie 4.0 in der nahen Zukunft
effizienterer Versionen der Millionen von Motorantrieben, Entwicklung von Motorantrieben änderungen in der industriellen Robotik: Die Robotik
die bei Industrie 4.0 zum Einsatz kommen. Gleiches gilt ebenso wichtig wie Roboter. « für Industrie 4.0 erfordert kürzere Reaktionszeiten, Um das Potenzial von Industrie 4.0 voll auszuschöpfen
für die Roboter, die in zunehmendem Maße autonom eine präzisere Positionierung sowie die Ansteuerung zu können, muss man sich den Herausforderungen des
und präzise sein sollen. auf das Betriebsergebnis zurückzuführen, sondern und Koordination mehrerer Motoren in Echtzeit. Mit neuen Hardware-Designs und der Energieeffizienz stellen.
auch auf den Druck, den staatliche Stellen hinsichtlich GaN-Leistungshalbleitern können Motorantriebe mit Die GaN-Technologie bildet einen wichtigen Bestandteil
Motorantriebe und Motoren – Energieeffizienz und der weltweiten Umweltbelastung durch die gesteigerte höheren Betriebsfrequenzen und Wirkungsgraden be- der erforderlichen Hardware-Evolution in Industrie 4.0
Flexibilität bei der Anlagenplanung Energieerzeugung ausüben. trieben werden, die eine erhöhte Regelungsbandbreite für die Hunderte von Millionen von Motorantrieben
liefern, um beispielsweise mechanische Vibrationen zu und Robotern, die benötigt werden, um Industrie 4.0
Die industrielle Nutzung macht derzeit 40–50 % des GaN-Leistungshalbleiter, die in Motorantrieben einge- reduzieren oder zu eliminieren. Wirklichkeit werden zu lassen.
weltweiten Strombedarfs aus; zwei Drittel davon ent- setzt werden, können einige der Veränderungen zuwege
fallen auf die 300 Mio. Industriemotoren weltweit – bringen, die für Industrie 4.0 im Hinblick auf Wirkungs- Heute sind die Energieumwandlungs- und Motorantriebs-
von Roboterarmen bis hin zu Förderbändern. Leider grad, Dauerhaftigkeit und Flexibilität erforderlich sind. komponenten von Roboterarmen manchmal so groß,
gehen 30–60 % der von diesen Motoren verbrauchten Der Einsatz von GaN reduziert die Energieverluste um dass sie oft in separaten Schränken abseits der Ferti-
elektrischen Energie durch den schlechten Wirkungsgrad 50 % und erhöht die Leistungsdichte um den Faktor 5, gungslinie untergebracht werden müssen. GaN ermög-
der Ausrüstung und der Energieumwandlung verloren. während sich gleichzeitig die Lebensdauer der Leistungs- licht die Konstruktion kleinerer Motorantriebe, die Jim Witham,
elektronik durch die geringere thermische Belastung sich direkt in den Roboterarm integrieren lassen. GaN Systems
In der Vergangenheit haben sich die Unternehmen nur verdoppelt. Und da GaN-Motorantriebe mit längeren Damit mobile Roboter effizient, flexibel und unter-
auf Möglichkeiten konzentriert, die Betriebskosten zu Kabeln betrieben werden können, ist eine flexiblere brechungsfrei arbeiten können, benötigen sie draht-
pcim.de 4Insights Ausgabe April 2019
E-Mobility // SiC revolutioniert den Antriebsstrang
Die Automobilindustrie ist auf dem Weg in Richtung Wechselrichter im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen. versucht, das Problem der Batteriereichweite der
emissionsfreier Verkehrsmittel, und die Automobil- Um die Vorteile von SiC im Antriebsstrang analysieren Elektrofahrzeuge zu lösen. Im Antriebssystem wird
hersteller bauen ihre Elektrifizierungsprogramme ent- zu können, gründete Rohm 2016 eine Partnerschaft durch Verluste sowohl im Wechselrichter als auch im
sprechend zügig aus. Die meisten OEMs beabsichtigen, mit dem Rennstall Venturi für die Formel-E-Meister- Elektromotor ein erheblicher Teil der in der Batterie
bis 2025 batteriebetriebene Elektrofahrzeuge (BEV) schaft. gespeicherten Energie verbraucht. Daher bringt jede
sowie Hybrid-Elektrofahrzeuge (HEV) weltweit in gro- Verbesserung des Wirkungsgrades des Antriebsstrangs
ßen Stückzahlen liefern zu können. Seit 2010 werden Durch den Einsatz von Komponenten mit SiC-Technik Vorteile. Abbildung 2 zeigt den wirtschaftlichen Nutzen
Bild 1: Zwei Wechselrichter für den Antriebsstrang
in zahlreichen Forschungs- und Entwicklungsprojekten lässt sich der Gesamtwirkungsgrad des Antriebs- von SiC in Abhängigkeit von der Batteriekapazität im (links: 200-kW-Wechselrichter auf Si-IGBT-Basis, rechts:
220-kW-Wechselrichter auf SiC MOS-FET-Basis)
strangs steigern. Jahr 2025. Basierend auf dem Wirkungsgrad des
» Neben praktischem Nutzen gegen- Wechselrichters und einem genormten Fahrzyklus für
Abbildung 1 zeigt zwei Wechselrichter für den Antriebs- Personenkraftwagen – »Worldwide Harmonized Light
über Komponenten auf Siliziumbasis
strang. Der linke Wechselrichter hat eine Nennleistung Vehicle Test Procedure« (WLTP) – ist eine Leistungs-
verspricht SiC auch Preisvorteile für von 200 kW und verwendet Leistungsmodule auf steigerung um bis zu 5 % möglich.
Autokäufer« Basis von Si-IGBTs sowie Si-Fast-Recovery-Dioden
(FRDs). Der rechte Wechselrichter wurde mit neu ent- Daher wird davon ausgegangen, dass bei BEV-Fahr-
verschiedene Aspekte der verfügbaren Siliziumkarbid- wickelten SiC-Komponenten konstruiert und hat eine zeugen mit gleicher Batteriekapazität durch den Einsatz
produkte umfassend untersucht. Heute ist der Nutzen Nennausgangsleistung von 220 kW. Die Vorteile von von SiC im Antriebsstrang eine größere Reichweite
von SiC unbestritten. Trotz der Preisunterschiede SiC-MOSFETs und SiC-SBDs in Verbindung mit nieder- erzielt werden kann. Alternativ ist bei einer Auslegung
zwischen SiC- und Si-Halbleiterbauelementen zahlt ohmigen Sammelschienen und einem kompakten für die gleiche Fahrstrecke eine deutliche Reduzierung
sich die Integration von SiC auf Systemebene aus. Zwischenkreiskondensator ermöglichten ein ver- der Batteriegröße und damit des Batteriegewichts
Bild 2: Wirtschaftlicher Nutzen von SiC-MOSFET-Wechselrichtern
Darüber hinaus hat SiC mittlerweile einen solchen bessertes Konzept für die Motorsteuerungsstrategie sowie der Kosten pro Zelle möglich. Somit bringen in Abhängigkeit von der Batteriegröße im Jahr 2025
Reifegrad erreicht, dass SiC als potenzielle Lösung für und führten zu einem kompakteren Kühlsystem. Beide Wirkungsgrad- und Gewichtsverbesserungen den Auto-
leistungselektronische Systeme in Anwendungen mit Wechselrichter sind wassergekühlt und können mit käufern Kostenvorteile.
hohen Zuverlässigkeitsanforderungen – wie beispiels- Batteriesystemen bis 800 V betrieben werden. Aly Mashaly,
weise im Automobilbereich – angesehen wird. Daher ROHM Semiconductor
nimmt das Interesse an SiC derzeit sehr schnell zu. Bei den Fahrzeugherstellern zeichnet sich ein zunehmen-
Einer der möglichen Einsatzbereiche für SiC ist der der Trend zu höheren Batteriekapazitäten ab, da man
pcim.de 5Insights Ausgabe April 2019
Thermisches Management // Leistungselektronik flüssig gekühlt –
Neue Messtechnik für ein optimiertes Wärmemanagement
Eine Luftströmung reicht in der Leistungselektronik oft Durch Kalibrieren ergibt sich die thermische Antwort, wärmeübertragende Fläche und der Wärmeüber-
nicht aus, um die anfallende Verlustwärme ausreichend die Zth-Kurve. Diese beinhaltet die vollständige Infor- gangskoeffizient vergrößern, ohne dass der Druckabfall
abzuführen. Flüssigkeitskühlung ist wesentlich wirkungs- mation über die thermischen Widerstände und Wärme- der Strömung zunimmt.
voller, erfordert allerdings eine aufwendigere Infra- kapazitäten der einzelnen Schichten im Wärmepfad.
struktur. Als Kühlmedien kommen standardmäßig Diese lassen sich bestimmen, in dem der Wärmepfad Die Abbildung zeigt beispielhaft einen IGBT-Aufbau
Wasser-Glykol-Gemische zum Einsatz. Auch Öle werden mit einem einfachen RC-Modell (Cauer-Modell) abge- mit Flüssigkeitskühler, die gemessene Zth-Kurve und
verwendet, allerdings kommen ihre für die Wärmeüber- bildet wird. Durch mathematische Umformungen werden die daraus berechnete Strukturfunktion. Gemessen
tragung entscheidenden Stoffwerte nicht an die hervor- aus der Zth-Kurve die thermischen Widerstände und wurde beim Massenstrom (Wasser) von 5, 10 und 15
ragenden Werte von Wasser heran. Entscheidend für Wärmekapazitäten der einzelnen Schichten berechnet kg/min. Mit zunehmendem Massenstrom wird der
eine optimale Wärmeübertragung [1,2]. Neben dem Wärme- thermische Widerstand kleiner.
ist in jedem Fall, die Kühlkörper- » Die Technik ermöglicht eine transport im Leistungs-
struktur im Strömungskanal halbleiter interessiert Die neue Messtechnik ist für Temperaturen von -40 °C
applikationsnahe und präzise
unter den gegebenen Druckver- besonders der thermische bis 80 °C und einen Massenstrom von 0 bis 20 kg/min
hältnissen für das jeweilige Fluid
Messung der Leistungselektronik Widerstand Rth,α zwischen ausgelegt. Der wesentliche Vorteil der neuen Technik
zu optimieren. mit ihrer Kühlung. « der Kühlkörperoberfläche gegenüber herkömmlichen Methoden ist, dass die Bild 1: IGBT-Aufbau mit Flüssigkeitskühler und gemessener Zth-
Kurve mit Strukturfunktion.
und dem Kühlmedium. Leistungselektronik (z.B. IGBTs) mit ihrer Kühlung
Eine neue Messtechnik am ZFW Stuttgart bietet die Es gilt Rth,α = 1/(α x A) mit dem Wärmeübergangs- applikationsnah im originalen Aufbau präzise gemessen
Möglichkeit, die Flüssigkeitskühlung einer Leistungs- koeffizient α in W/(m2K) und der wärmeübertragenden wird – als Grundlage für ein optimales, kosteneffektives
elektronik präzise zu charakterisieren. Dazu werden der Fläche A des Kühlkörpers. Der Wärmeübergangsko- Wärmemanagement.
Massenstrom, die Druckverhältnisse und die Tempera- effizient α hängt von den Stoffeigenschaften der
turen der Strömung erfasst. Die Messunsicherheiten Kühlflüssigkeit, den geometrischen Verhältnissen
für diese Werte liegen typischerweise weit unter 0,5%. bzw. der Strömungsgeschwindigkeit und Strömungs-
Bei der Messung wird der gesamte Wärmepfad von der form ab. Mit zunehmender Geschwindigkeit und Ver- [1] JEDEC STANDARD JESD51-14 (2010) Transient Dual Interface
Junction des Leistungshalbleiters bis zur Kühlflüssig- wirbelung der Strömung wird α größer und der ther- Method for the Measurement of the Thermal Resistance Prof. Dr. Andreas Griesinger,
Junction to Case of Semiconductor Devices with Heat Flow
keit betrachtet: Mit dem thermischen Transientenver- mische Widerstand zwischen der Kühlkörperoberfläche Trough a Single Path, JEDEC Solid State Technology ZFW Stuttgart
und der Kühlflüssigkeit sinkt. Durch ein geschicktes Association
fahren wird der Halbleiter mit einer Sprungfunktion
[2] Griesinger A (2019) Wärmemanagement in der Elektronik,
beaufschlagt und die Sprungantwort gemessen. Kühlkörperdesign lassen sich in vielen Fällen die Theorie und Praxis, Springer Vieweg
pcim.de 6Insights Ausgabe April 2019
Optimierte Leistungselektronik // Einfluss der
Kerntechnologie auf den Netzwechselrichter
Leistungselektronische Systeme haben eine hierarchische Energien befassten Branchen, in denen sich der Markt
Struktur, die die Materialien und Komponenten umfasst, schnell verändert, wird die Suche nach einer optimierten
aus denen die Systeme aufgebaut werden. Die Gestaltung Lösung, die zum einen den umfangreichen Gestaltungs-
des Zwischenraums zwischen den Schichten beeinflusst raum ausnutzt und zum anderen kurze Optimierungs-
die Systemeigenschaften in Bezug auf den Wirkungsgrad zeiten verlangt, immer schwieriger. Folglich wächst in
und die Leistungsdichte in den oberen Schichten. der industriellen Forschung der Bedarf an einem Konzept
So wird beispielsweise der Wirkungsgrad einer be- für schnelles systematisches Konstruieren und an dazu-
stimmten Topologie durch die verwendeten Halbleiter gehörigen Bewertungsverfahren.
bestimmt; das Gewicht einer Spule wird durch die
Werkstoffe von Wicklung und Kern beeinflusst. In jüngster Zeit hat die Anwendung der Mehrkriterien-
Diese mehrstufigen hierarchischen Schichten führen zu optimierung in der Leistungselektronik erhebliche Fort-
schritte gemacht, da sie auf die Schaffung einer ganz-
» Die Optimierung der heitlichen Entwurfsperspektive abzielt. Um den ständig
wachsenden technischen Anforderungen an Wechsel-
Leistungselektronik bildet das
richter für den Betrieb am Netzverbund zu erfüllen,
Fundament für die Entwicklung werden die jüngsten Fortschritte bei den Optimierungs-
von Netzwechselrichtern « verfahren der Leistungselektronik auf die Entwicklung
von Netzumrichtern übertragen. Derzeit wird der Einfluss
einem komplexen Verfahren beim Entwurf der leistungs- verschiedener Kerntechnologien auf die Leistungsfähig- Bild 1: Hierarchie von leistungselektrischen Systemen Bild 2: Gliederung der Kerntechnologien und ihr Einfluss auf
den Netzwechselrichter
elektronischen Systeme. Darüber hinaus erweitert sich keit eines Netzwechselrichters mit Hilfe einer Mehr-
mit zunehmender Reife der einzelnen Kerntechnologien kriterien-Optimierungsmethodik untersucht; hieraus
in der Leistungselektronik der für den Entwurf zur Ver- werden sich die zukünftigen Ausrichtungen der Forschung
fügung stehende Raum, das heißt, es bieten sich mehr mit neuen Herausforderungen ergeben.
Optionen hinsichtlich Topologie, Halbleiter, Kühlung
Ki-Bum Park,
und Wickelgüter. Hierdurch entstehen bei der Optimierung ABB Corporate Research
moderner leistungselektronischer Systeme erhebliche
Herausforderungen. Gerade in den mit erneuerbaren
pcim.de 7Insights Ausgabe April 2019
Fachforum // Plattform für Wissensvermittlung
Auf dem Fachforum in Halle 7 (Stand 543) erwarten Vollständiges Programm
Sie an allen drei Messetagen hochkarätige Fach-
vorträge renommierter Experten zu aktuellen Dienstag, 07.05.2019
Forschungs- und Entwicklungsthemen aus dem 10:15 – 11:00 Next-Generation Power Electronics by Advanced Semiconductor and Device Technologies Fraunhofer IAF
Bereich der Leistungselektronik. 11:00 – 11:45 SiC Power MOSFETs – Application Specific Portfolio Extension Infineon
12:00 – 13:00 Get Going with GaN Power Systems Design
Das Fachforum ist für Messebesucher 13:00 – 13:30 SiC and GaN Impact on Traditional Si Power Electronics Industry Yole Développement
jederzeit frei zugänglich. 13:30 – 14:00 New Thinking Leads to Smaller Inductors and High Efficiency at High Frequency Coilcraft Europe
14:00 – 14:45 Solutions for Special Measurement Applications (100kA, 100MW, etc.) DEWESoft
14:45 – 15:15 Thermal Resistance of Interconnect Layers in Inverter Power Stack Assembly MacDermid Alpha Electronics Solutions
15:15 – 15:45 Next Generation of Power Supplies Virginia Tech
Mittwoch, 08.05.2019
10:00 – 10:45 SiC Power MOSFETs – Application Specific Portfolio Extension Infineon
10:45 – 12:15 EV/HEV Transformation of the Power Modules Industry Yole Développement
12:15 – 12:45 Automotive Power Module Qualification Guideline AQG324 - The Success Story Continues AQG 324
12:45 – 13:15 A Comparison between NPC and ANPC 3 Level Topologies Semikron Elektronik
13:30 – 14:30 SiC – Devices are Mature A Media, Bodo’s Power Systems
14:30 – 15:30 GaN – Devices are Mature A Media, Bodo‘s Power Systems
15:30 – 16:00 Optimization of Power Electronics for Grid-Tied Converter ABB Switzerland
Donnerstag, 09.05.2019
10:00 – 11:00 SiC Solutions for Industrial and Automotive Applications ROHM Semiconductor
11:00 – 11:30 GaN and Industry 4.0 – A Small Change that is Revolutionizing the Industry GaN Systems
11:30 – 12:30 Einführung Students Day ECPE European Center for Power Electronics
12:30 – 13:00 What is the Impact of Battery, Power Electronics and Electric Motor Global Trends on the EV/HEV Industry? Yole Développement
Möchten Sie die zweimal jährlich erscheinende 13:00 – 13:45 SiC Power MOSFETs – Application Specific Portfolio Extension Infineon
PCIM Europe Insights automatisch erhalten? 13:45 – 14:30 Next-Generation Power Electronics by Advanced Semiconductor and Device Technologies Fraunhofer IAF
Bitte senden Sie eine Mail an: 14:30 – 15:15 Solutions for Special Measurement Applications (100kA, 100MW, etc.) DEWESoft
sophie.pfauter@mesago.com 15:30 – 16:00 Verlosung Students Day ECPE European Center for Power Electronics
pcim.de 8Sie können auch lesen
