Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE

 
WEITER LESEN
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
Institute of Electron Microscopy and Nanoanalysis
                Graz Centre for Electron Microscopy

                       Some like it hot!
    Untersuchungen dynamischer Prozesse im
         In Situ-TEM von RT bis 1300°C
     Evelin Fisslthaler, Martina Dienstleder, Daniel Knez, Robert Winkler

20 March 2018
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
2    Motivation für In Situ-TEM

    Beobachtung dynamischer Vorgänge in einer TEM-Probe unter Einfluss
    einer äußeren Anregung (z.B. erhöhte Temperatur, elektrisches Feld etc.)

      Isotrope Anregung (z.B. rein thermisch getriebene Prozesse )

         beobachtbare Effekte: z.B. Diffusionsprozesse,
         Filamentbildung (Defektentstehung), Präzipitatwachstum

      Anregungen mit Ausrichtung (z.B. elektrisches Feld)

         beobachtbare Effekte: z.B. Migration, Filamentbildung
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
3   Gewünschte Eckdaten und mögliche Hersteller

    •    Heizbar
    ×?•
         + Bias                                     • Gatan
    ?•
         Driftstabilität RT
                                                     • Hummingbird Scientific
    ?•
         Driftstabilität beim Heizen
    ו
         MEMS-Chip-System                           • FEI
    ו
         Handling/Präparation
                                                     • Protochips
    ו
         4-Punkt
    ו
         Doppelkipp-Funktion                        • DENSsolutions
    ו
         EDX-tauglich

     Demos am TF20 mit           • Driftstabilität
     •    Protochips             • Preis                     DENSsolutions
     •    DENSsolutions          ? Bias
                                                             Wildfire D6
     ?    FEI
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
by courtesy of
4   Wildfire D6 – Sample Holder und MEMS Chips

     Auf zwei Achsen kippbares FEI-kompatibles Heizsystem mit MEMS-Technologie

                                                                                 ST
                                                                                 • ≤ 800°C
                                                                                 • Membran:
                                                                                    30 nm SiN

                                                                                 XT
                                                                                 • ≤ 1300°C
                                                                                 • Membran:
                                                                                 – 20 nm SiN
                                                                                 – 5 nm Carbon
                                                                                 – Loch
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
by courtesy of
5       DENSsolutions Wildfire D6

        Kontrollmethode         4-Punkt-Messung
        Temperaturbereich       RT bis 800°C/1300°C
        Temperaturstabilität    < 1 °C bei 1300°C
        Heizrate                200°C / ms
        Quenchrate              200°C / ms
        Settling Time
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
by courtesy of
6   Probenvorbereitung

                     Sputter coating                  Drop Casting - Pulverpräparation

                       Target (cathode)
    Sputtering Gas

                                                      Turning the Nano-chip   Dropping of solution

                         Anode            Nano-Chip
                                                        Solvent evaporation     Ready to use

                                                      Benetzungsproblem > Plasma Cleaning!
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
7   Probenvorbereitung

    Mikromanipulation via Omniprobe
    Platzierung eines Nanowires über dem elektronentransparenten Fenster, mit Kontakt
    zu beiden Elektroden

                                                                     Kein DENSsolutions-Chip!
                                                                     (Versuche für OIST)
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
by courtesy of
8   FIB-PIPS – to be explored

    Transfer eines Teiles einer PIPS-Probe für In Situ-Experimente:
    Nach Kontrolle im TEM wird ein Bereich mit passender Größe ausgewählt (b),
    vorgeschnitten und an der Omniprobe-Nadel befestigt und freigeschnitten (f) und
    auf einen Heizchip transferiert ((g) und (h)); einfache Geometrie da alles flach.
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
9   Aktuelle Lamellenpräparation

                                                                                              Chip
     Aluminium- Probenhalter für SEM - gefertigt im Haus                     Probe

     45° - mit einer Probenaufnahmefläche und einer dem Chip
     angepassten Chipaufnahmefläche.

                                                                         Probe
                          Chip

        Probe                                  Chip

                                                                                   42°
                                      7°
                Lamellenpräparation               Befestigung auf Chip

                                                Anleitung: FIB Lamellen Präparation für Heizhalter
Some like it hot! Untersuchungen dynamischer Prozesse im In Situ-TEM von RT bis 1300 C - FELMI-ZFE
10   Neue Gadgets für die FIB (ca. ab Mai), von Kleindiek

     MGS2-EM Microgripper - PlugIn Tool für FIB
      Gripping area:
      5 to 10 µm²

     SEMGlu - Kleber, der mittels Elektronenstrahl ausgehärtet wird
       zum Befestigen von z.B. Lamellen, als Ersatz für Pt , zur Vereinfachung
       der Mikromanipulation von Proben (z.B. Nanowires)

     ROTIP-EM Rotational Tip - PlugIn Tool für FIB
     Rotation: 360°
     Kann mit Nadel oder mit Microgripper kombiniert werden
11   Realistisch + rasch umsetzbar: In Situ am FELMI-ZFE

     TEM                              Korrelative Mikroskopie
     • Lightning D6+ -Upgrade         Verwendung des DENS-Systems
       Verwendung des vorhandenen     in anderen Mikroskopen mittels
       4-Punkt-Halters für Biasing    adaptiertem Haltersystems
     • Lorentz-Mikroskopie + OL        •   SEM / ESEM / FIB
       Einfluss magnetischer Felder    •   Raman
                                       •   AFM
       auf die Probe
                                       •   XRD
     • Kryo-TEM
by courtesy of
12
     Verfügbare In Situ-Systeme (DENSsolutions)
     TEM-Halter

        Heizen       Heizen + Bias   Heizen + Gas   Liquid
by courtesy of
13
     Verfügbare In Situ-Systeme (DENSsolutions)
     MEMS Devices

      Nano-Chip       Nano-Chip       Nano-Reactor       Nano-Cell

      Heizen        Heizen + Bias    Heizen + Gas         Liquid
In situ experiments Daniel

• Rayleigh breakup of metallic nanowires

• Thermodynamic properties of bimetallic
  clusters

• Metal diffusion through barrier layer
Rayleigh-breakup of metallic nanowires
   What is the Rayleigh-breakup?

              Plateau–Rayleigh instability
              Surface tension tries to minimize surface
              Small perturbation lead to thickness variations
              Well known for fluids
              But also occurs in nanoscaled solids
              (high surface to bulk ratio)
              Driven by surface diffusion
Rayleigh-breakup of metallic nanowires
       • Instability of Ag nanowires at room temperature
       • Experiment: In situ heating with cryo holder

    -196 to -20 °C                         -5 °C                                  20 °C                                   90 °C

       3 nm amorphous C support
       Breakup starts at ~-15 °C (far below bulk melting temperatures)
       At lowest wire diameters
       Speed increases with temperature (surface diffusion)

Volk, A.; Knez, D.; Thaler, P.; Hauser, A. W.; Grogger, W.; Hofer, F.; Ernst, W. E. (2015): Thermal instabilities and Rayleigh breakup of ultrathin silver
nanowires grown in helium nanodroplets. In Phys. Chem. Chem. Phys. 17 (38), pp. 24570–24575
Rayleigh-breakup of metallic nanowires
      • Instability of Au nanowires
                                                                      Breakup above ~150 °C
                                                                      Temperature depends on mobility of surface
                                                                       atoms (eg. bonding strength, atomic mass,
                                                                       surface facet structure)
                                                                      Simulation with a cellular automaton
                                                                       (surface atoms try to maximize the number
                                                                       of nearest neighbours)
                                                                      fits very well to experiment

                                                                      Experiments with Cu & Ni: surface diffusion
                                                                       disturbed by oxidation
                                                                      breakup occurs at higher temperatures

Schnedlitz, M.; Lasserus, M.; Knez, D.; Hauser, A. W.; Hofer, F.; Ernst, W. E. (2017): Thermally induced breakup of metallic nanowires. Experiment and
theory. In Phys Chem Chem Phys.
Ni@Au core-shell clusters
• System Ni@Au shows large miscibility gap
• 2 contributions to mixing enthalpy with different signs:
   – Difference in atomic size (-)
       large range unmixing
   – Difference in electronegativity (+)
                                                       miscibility gap
       short range ordering
• Bulk: spinodal decomposition

• What happens in a cluster ?

                                           5   n   m
Ni@Au core-shell clusters
     • Step wise heating from 50 to 400 °C

         Morphology change
         Alloying at higher temperatures (larger particles alloy faster than smaller?)
         Alloying irreversible
Lasserus et al., in preparation
Cu migration “through” barrier layer
                                             BF TEM
                  e-   - beam

            Carbon (5 nm)
       Cu ~30nm

                   SiO2 5nm

                                Si (wafer)
                   Ru ~4nm

                                              Influence of the electron beam must be
            Carbon (5 nm)                    considered during in situ experiments (not only
                                             for clusters)!
heating from 100 to 250 °C with
constant heating rate                         2   0   0   n   m

(sample from LAM research)
Diffusions und Rekristallisationsprozess
21
     Material:
     AlMg4Sc0.4Zr0.12 in wt%

      •     Aluminiumlegierung mit Sc und Zr
            Nanoauscheidungen zur Erhöhung
            der mechanischen Stabilität

          Al3Sc

                                               Ist es möglich, den Diffusionsprozess zu
                                                   beobachten während er passiert?
Ist es möglich, den Diffusionsprozess zu beobachten während er passiert?

22
         • Lamellenpräparation auf Heizchip (Martina)
         • Aufheizen auf 500°C
                Phasentransformation

               before heating                              during heating
1   2   3

23

     4   5   6

     7   8   9
Comparison
24   Final state of AlMgScZr sample
     After ageing for 72h at 500°C

     • Zr has reached Al3Sc precipitates
     • Secondary diffusion process has
       taken place

        Outlook
        • Analyse large area phase transformation of matrix
        • Long time experiment: can secondary diffusion process
          be witnessed
25   Heating & Biasing: FEBID 3D-nanoarchitectures

     Goal:

     Using 3D-Nanoarchitectures (PtC5) fabricated via FEBID as THERMAL and ELECTRICAL
     probe
     on an AFM cantilever (SENTINEL Project, CD-Labor DEFINE)

     Open questions THERMAL:

     •   General stability under influence of temperature?             1 µm
     •   Chemical changes? (as alternative purification approach?)
     •   Morphological changes?

     Open questions ELECTRICAL:

     •   General stability under influence of current flow?
     •   Chemical changes?
     •   Morphological changes?                                        4 µm

                                                                     Critical dimensions for 3D nanoprinting
THERMAL                                                                                               ELECTRICAL
26
                                                                                                                                                     25°C, 30 nA         500°C, 168 µA

                                                                                                                                                                    +T + I

                                                                                                                          2 µ m                                                         2 µ m

                                                                                                                                                                                                         25°C, 218 µA

                                                                                                                                                                    -T + I

                                                                                                                          15   0µ   0m   n   m                                          2   µ   m

              1000                                                                                                 1600
                          CK                                                                                                                     CK
              900
                                                                                               17 EDXS             1400
                                                                                                                                                                                                                18 EDXS
              800
                                                                                                                   1200
              700

                                                                                                                   1000
              600
     Counts

                                                                                                          Counts

              500                                                                                                  800

              400                    PtM
                                                                                                                   600
                                   SiK                          1 µ m
              300                                                                                                                                                    1 µ m
                                                                                                                   400
              200                                                                   PtL
                                                                  FeK CoK
                                                                                                                   200                                SiK
              100                                                                              PtL
                                             PtM
                                                                                                           PtL                                                  FeKCoK
                0                                                                                                    0
                 -1   0        1         2         3   4    5    6      7   8   9         10   11    12     13                 -2                0      2   4   6        8         10               12     14   16   18
                                                                 keV                                                                                                         keV
ELECTRICAL
27
                                      25°C, 30 nA                                                     500°C, 168 µA                                                                                      25°C, 218 µA

                                                                          +T + I                                                                                 -T + I

                                                                                                                                                                                           2   µ   m
                     2 µ m                                                                2 µ m

                                                              1   µ   m                                               5   0   0    n   m                                  1    µ   m                                    1   µ   m

              1000                                                                                                                                       1600
                                 CK                                                                                                                                  CK
              900
                                                                                                                              17 EDXS                    1400
                                                                                                                                                                                                                                          18 EDXS
              800
                                                                                                                                                         1200
              700

                                                                                                                                                         1000
              600
     Counts

                                                                                                                                                Counts

              500                                                                                                                                        800

              400                           PtM
                                                                                                                                                         600
                                          SiK                                 1 µ m
              300                                                                                                                                                                                      1 µ m
                                                                                                                                                         400
              200                                                                                          PtL
                                                                                FeK CoK
                                                                                                                                                         200                  SiK
              100                                                                                                             PtL
                                                    PtM
                                                                                                                                                 PtL                                           FeKCoK
                0                                                                                                                                          0
                 -1          0        1         2         3   4           5    6      7           8    9         10           11           12     13            -2   0             2   4   6             8         10           12   14   16   18
                                                                               keV                                                                                                                           keV
28    Outlook – Heizexperimente Christian: Pr2NiO4+δ

     Phasenumwandlung:                                       Domänen:
     Orthorhombisch auf tetragonal bei 690 K                 Umwandlung bei höherer Temperatur?

                                                              1 0 0 nm

                                                                         STEM HAADF
                          Rotation abhängig von Temperatur
29   Outlook EPCOS

     „Imitation“ eines Lebensdauer-Tests für ein keramisches Bauelement
     in situ im TEM
     Migrationsprozess des Elektrodenmetalls entlang der Korngrenzen der Keramik
     limitiert die Lebensdauer des Bauteils, wird makroskopisch bei erhöhter
     Temperatur und im Betrieb gemessen

                                                  Kurt Mayer, Diplomarbeit (C-AFM investigtions of degraded donor
                                                  doped lead zirconate titanate samples with copper electrodes)

     Umsetzung braucht voraussichtlich Heizen + Bias (gleichzeitig)
     Startpunkt für Planungen für In Situ-Arbeitspaket im Grenzflächenprojekt
30   Outlook - Dissertation Robert Krisper (ab April 2017)

      Erstes Jahr: Fokus auf Heizen       Ab zweitem Jahr: Erweiterung
                                          Bias/Korrelative Mikroskopie
      •   Literaturrecherche
                                          •   Literaturrecherche
      •   Prozeduren Probenpräparation
                                          •   Prozeduren Probenpräparation
      •   Evaluierung Halterparameter
                                          •   Bau Probenhalter DENS-SEM?
      •   TEM in situ an zwei
          unterschiedlichen Systemen      •   Anschaffung Erweiterung Bias?
                                              (Kosten ca. 20.000€)
           – Halbleiter (Diffusion,
              Migration)                  •   Bei Bedarf: ev. Nutzung
                                              externer Infrastruktur
           – Legierung
              (Präzipitatbildung)
      •   Kombination mit Analytik (vor
          allem EDX)
31   Acknowledgements

      FELMI-ZFE:        Sonstige:

      •   Martina       Dominic Vogt
      •   Sebastian
      •   Daniel        Hugo Perez
      •   Ilse          Marina Zakhozheva
      •   Angelina
      •   Christian
      •   Mihaela
      •   Robert
Sie können auch lesen